檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "plasma".ekeyword (精準) and year="100"
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層，以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層，上電極皆以Al濺鍍，製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
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本論文主要利用冷壁式有機金屬化學氣相沉積法 (Cold-wall metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 製備銳鈦礦二氧化鈦 (Anatase…
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜，並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層，之後再沉積出TaN薄膜當作上電極，製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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本論文主要是探討奈米碳管結合氧化銦形成的複合薄膜，經不同溫度熱氧化以及調配不同濃度的碳管溶液，最後經過微波電漿處理，以EGFET的架構，應用於pH酸鹼度的感測器，進行I-V曲線圖、pH感測度量測，並…
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利用低溫電漿於高分子基材進行表面改質及活化，會改變其表面物性與化性，例如親疏水性、表面活性以及表面形貌，但又能夠保有塊材之整體性質，而此項技術已被廣泛應用。然而，常壓電漿技術比傳統的低溫電漿技術無需…
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本研究運用田口實驗法分析探討電漿熱噴塗鈷鉬鉻矽粉材於Ti-6Al-4V上之鍵結強度最佳化分析，實驗採用影響電漿熱噴塗品質之五種重要製程參數為田口實驗之因子，包括送粉速率、噴塗距離、噴塗電流、主要氣體…
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本論文以微接觸轉印技術及導電墨水製作導線，並搭配大氣電漿進行PDMS表面親水前處理，與微接觸轉印形成一連續製程。此轉印製程主要特色為製程單純、快速且無需昂貴設備，可直接製作無殘留層之導線於基材上。 …
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源同時通入氬氣以及氮氣，以氧化鋅為靶材，成功的製備出摻氮氧氧化鋅薄膜。陽極層離子源具高電流之特性，可以提高濺擊產率增加薄膜沉積速度，且氮…
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本研究以靜電紡絲法製備左旋聚乳酸(PLLA)電紡纖維膜，再以氧電漿改質纖維表面，接枝上3-胺丙基三乙氧基矽烷(APTES)，接著將此薄膜浸於聚麩胺酸(γ-PGA)水溶液中使其表面固定一層g-PGA，…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …